单片机c语言延迟编程流程图-单片机延迟程序
今天给大家分享单片机c语言延迟编程流程图，其中也会对单片机延迟程序的内容是什么进行解释。
文章信息一览：
单片机C语言延迟程序
1、十秒对于单片机来说是很长很长的时间了，单片机十秒的时间什么事都不能做，只在跑这延时程序，那是什么概念，用中断的话，单片机正常运行其他程序，只是时间到了才过来处理延时以后的程序，效率不知道高了多少 。
2、先写一个延时程序，入口参数就是X，根据X的值来计算延时的长短。写一个按钮响应程序，主要就是根据按钮信息来调节X的值。为了单片机掉电以后还能保存X的值，就不能把X得值放在RAM中，可以把X得值放在flash存储器中，这就需要写一个对flash存储器读写的函数。
3、他***里面有具体的调试过程吧 如果a=1，大概是1ms c语言没法算，在不同的编译环境中，编译的汇编代码不一样，所以执行的时间也就不同了。在Keil中，大概是1ms。
4、k不一样延时也不一样。而这种靠执行指令延时的程序的延时里昂： 可以通过查看她的反汇编代码来分析得到。 也可以通过定时计数器的获得。执行前从0开始计数启动定时器，然后以一定参数k调用delay，在返回后检查定时器的计数值 T。T = tc + k * t0，tc是任何一次调用都具有的调用开销。
单片机c语言延时程序
在循环里判断是否满足跳出的条件，满足则跳出循环，不满足就继续延时直到延时结束。具体的条件要有程序的要求来，比如说某个IO口的电平的状态。
k不一样延时也不一样。而这种靠执行指令延时的程序的延时里昂： 可以通过查看她的反汇编代码来分析得到。 也可以通过定时计数器的获得。执行前从0开始计数启动定时器，然后以一定参数k调用delay，在返回后检查定时器的计数值 T。T = tc + k * t0，tc是任何一次调用都具有的调用开销。
C程序中可使用不同类型的变量来进行延时设计。经实验测试，使用unsigned char类型具有比unsigned int更优化的代码，在使用时应该使用unsigned char作为延时变量。 以某晶振为12MHz的单片机为例，晶振为12MHz即一个机器周期为1us。
单片机12M晶振延时1us，只需要执行一个NOP就是了。C语言中也是如此。
标准的C语言中没有空语句。但在单片机的C语言编程中，经常需要用几个空指令产生短延时的效果。这在汇编语言中很容易实现，写几个nop就行了。
基于51单片机的C语言延时函数程序编写
ms延时子程序程序：（晶振12MHz，一个机器周期1us。
最后，点击编译，生成HEX文件就可以了，这样51单片机延时语句就完成了。
要看你的时钟周期，如果是12Mhz的话，每个时钟周期MC=6*2/12 M =1us，所以延迟是让机器计数1000000下，上面那个公式你自己套用24Mhz的就是2000000下。c语言的循环次数你自己算，每条指令一个周期，所以楼上的程序在12Mhz下是1s延迟。
所以一个简单的延时功能就诞生了，我们只需要自减120次，就可以延时1ms，如果我们要延时50ms呢，那就自减50*120=6000次。
说明还没到100次 { TR=1；j=3600；} else { flag_1hour=0； //循环了3600000次10ms，关闭延时标志位。} } } ET0=1；} 调用程序：void delay1hour（）{ delay_1hour=1；i=100；j=3600；TR0=1；}//在任意你想开始延时一小时的地方加这个函数。在延时期间，单片机还可以干其他指令。
Debug”，点击后出现下拉菜单，选择第一个“start/stop Debug Session”，然后在最右边有一个Watch栏，有两个项目，一个是“Register”，一个是“value”，然后在“Register”栏下边的“Sys”里边有个“sec”，你只要单击“Step over”运行程序并观察“sec”的值就能调试出你程序的执行时间了。
单片机c语言对延迟程序的编制?还有掉电后给定参数的保存?
通过对汇编代码分析，时间延迟t=7X+4（其中X为i的取值）。测试表明，for循环方式虽然生成的代码与用while语句不大一样，但是这两种方法的效率几乎相同。
十秒对于单片机来说是很长很长的时间了，单片机十秒的时间什么事都不能做，只在跑这延时程序，那是什么概念，用中断的话，单片机正常运行其他程序，只是时间到了才过来处理延时以后的程序，效率不知道高了多少 。
单片机中的delay（）的单位时间不是系统提供的，而是用户自己编制的。如果用循环语句实现的循环，没法计算，但是可以通过软件仿真看到具体时间，但是一般精精确延时是没法用循环语句实现的。
利用MAX813L芯片检测外部掉电，然后通过单片机中断来控制保存掉电时的参数，在外部电源与单片机单独供电之间须加一个IN5819二极管，在单片机供电侧加一个4700uf的大电容即可保持外部断电后单片机仍可维系1S左右的时间来保存你的系统状态是搓搓有余的。
关于单片机c语言延迟编程流程图，以及单片机延迟程序的相关信息分享结束，感谢你的耐心阅读，希望对你有所帮助。
